Krájanie, čistenie, príprava semišu, obvodové leptanie, odstránenie PN plus prechodu na chrbte, výroba hornej a dolnej elektródy, výroba antireflexnej fólie, spekanie, testovanie a triedenie atď. 10 krokov.
Špecifická technológia výroby solárnych článkov
(1) Plátok: Kremíková tyč je narezaná na štvorcové kremíkové doštičky rezaním viacerými drôtmi.
(2) Čistenie: Vyčistite silikónový plátok konvenčným čistiacim spôsobom a potom odstráňte 30-50um vrstvy poškodenej rezaním na povrchu silikónového plátku pomocou roztoku kyseliny (alebo zásady).
(3) Výroba zamšu: Anizotropné leptanie kremíkového plátku v alkalickom roztoku sa používa na výrobu zamša na povrchu kremíkového plátku.
(4) Difúzia fosforu: PN plus spoje sú tvorené difúziou zo zdroja povlaku (kvapalný zdroj alebo zdroj vločiek pevného nitridu fosforu) a hĺbka spojenia je vo všeobecnosti 0.3-0,5 um.
(5) Periférne leptanie: Difúzna vrstva vytvorená na povrchu kremíkového plátku počas difúzie skráti hornú a dolnú elektródu batérie a odstráni difúznu vrstvu tieniacim mokrým leptaním alebo plazmovým suchým leptaním.
(6) Odstráňte zadnú spojku PN plus. Zadný spoj PN plus sa zvyčajne odstraňuje leptaním alebo brúsením za mokra.
(7) Výroba horných a dolných elektród: pomocou vákuového naparovania, bezprúdového poniklovania alebo tlače hliníkovej kaše a procesu spekania. Najprv sa vyrobí spodná elektróda a potom sa vyrobí horná elektróda. Tlač z hliníkovej kaše je široko používaný proces.
(8) Výroba antireflexného filmu: Aby sa znížila strata odrazu na vstupe, na povrch kremíkového plátku by sa mala naniesť vrstva antireflexného filmu. Materiály používané na výrobu antireflexných povlakov sú MgF2, Si02, Al2O3, SiO, Si3N4, Ti02, Ta2O5 atď. Procesné metódy môžu byť vákuové nanášanie, iónové nanášanie, naprašovanie, tlač, PECVD alebo striekanie.
(9) Spekanie: Spekanie čipov batérie na niklových alebo medených substrátoch.
(10) Klasifikácia skúšok: podľa stanovených parametrov a špecifikácií klasifikácia skúšok.
